رشد بلور KDP در محلول آبی با افزودنی EDTA

نویسندگان

دانشگاه امام حسین(ع)

چکیده

استفاده از افزودنی EDTA به عنوان ناخالصی به محلول KDP < /span> راه مؤثری برای بالا بردن عرض منطقه­ی نیمه پایداری محلول و در نتیجه بالا رفتن سرعت رشد است. EDTA در محلول رشد با تشکیل همبافت­های قوی با فلزات سنگین مانند Al و Fe و Cr که در مواد شیمیایی تجاری همواره به عنوان ناخالصی وجود دارند، فعالیت­های شیمیایی این یون­ها را خنثی می­کند. تأثیر یون­های فلزی  Cu2+و Fe3+ و Al3+ بر رشد بلورKDP < /span> مورد بررسی قرار گرفت. بلورها به روش بلوردانه گذاری در محلول با غلظت معین و رشد خود بخودی در دمای اتاق تهیه شدند. طیف مرئی- فرابنفش بلور حاوی ناخالصی Al3+ افزایش ناخواسته­ی جذب در ناحیه­ی فرابنفش را نشان می­دهد. افزایش جذب در این ناحیه بیشتر به دلیل جانشینی یون­های Al3+ به جای فسفر به عنوان واحدهای مولکولی (AlO4)2- در شبکه­ی بلور KDP < /span> است. استفاده از افزودنی EDTA در محلول رشد علاوه بر کاهش جذب در ناحیه­ی فرابنفش، باعث برابر شدن سرعت رشد بلور در تمام وجوه می­شود.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

Growth of KDP crystals in aqueous solution with EDTA as additive

چکیده [English]

Addition of EDTA to the KDP solution is an effective method to increase the stability zone and the crystal growth rate. EDTA neutralizes the chemical activity of metal ions impurity such as Al+3, Fe+3, Cr+3 (that exist in the chemical materials as impurity). Effect of Al+3, Fe+3, Cr+3 ions on the KDP crystal is investigated. Growth method was based on the “point seed” method following spontaneous growth at room temperature in a solution with optimum concentration. UV-Visible spectrum of the crystal containing Al3+ displays an undesirable increase of the optical absorption in the ultraviolet region. In fact, (AlO4)2- ions are present in the KDP crystals and give rise to ultraviolet absorption. Addition of EDTA to the KDP solution lead to decrease the optical absorption in the ultraviolet region and equal growth rate at all faces of the crystal.

کلیدواژه‌ها [English]

  • KDP crystal
  • growth rate
  • growth from solutions
  • Impurity
[1] E. Kirkova, B. Djarova, B. Donkova, Prog. “Cryst. Growth”, Charact. 32(1996) 117

[2] Seif S., Bhat K., Batra A., Aggarwal M., Lal R., “Materials Letters” 58 (2004) 991– 994

[3] Painsner J.A., Boyes J.D., Kuopen S.A., “Laser Focus”, World 30 (5) (1994) 75

[4] Shangfeng Y., Genbo S., Zhengdong L., Rihong J., J. “Crystal Growth” 197 (1999) 383Ð387.

[5] Shengali W., Zhangshou G., Youjun F., Xun S., Jieguo Z., Hong Z., Yiping L., J. “Cryst. Growth” 223 (2001) 415

[6] Jianzhong C., Sukun L., Fengtu Y., Jiahe W., Jianming L., J. “Cryst. Growth” 179(1997) 226

[7] Buckley H.E. (Ed.), “Crystal Growth”, Wiley, New York, 1951.



[8] Sangwal K., J. “Cryst. Growth” 203 (1999) 197.

[9] Zaitseva N.P., De Yoreo J.J., Dehaven M.R., Vital R.L., Montgomery K.E., Richardson M., Atherton L.J., J. “Crystal Growth” 180 (1997) 255.

[10] Asakuma Y., Jee L., Nishimura M., Ming Ang H., Tade M., Maeda K., Fukui K., J. “Molecular Structure”, THEOCHEM 851 (2008) 225–231.

[11] Nakatsuka M., Fujioka K., Kanabe T., Fujita H., J. “Crystal Growth” 171 (1997) 531.

[12] Owczarek I., Sangwal K., J. “Cryst. Growth” 102 (1990) 574.

[13] Sangwal K., Mielniczek-Brzoska E., “Cryst. Res”. Technol 36 (2001) 837.

[14] Garces, Stevens K.T., Halliburton L.E., Yan. M., J. “Crystal Growth” 225 (2001) 435–439