فن‌آوری ساخت گیرنده نوری استوانه‌ای

نویسندگان

دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده علوم پایه

چکیده

در این مقاله پس از حل معادله لاپلاس تبدیل فوریه پتانسیل الکتریکی در شرایط مرزی مناسب، تبدیل فوریه میدان الکتریکی در یک مدل سه لایه‌ای با ضخامتtj  و نفوذ‌پذیری الکتریکیerj   ( 3 و 2 و 1  j =)، مورد مطالعه و بررسی قرار می‌گیرد، و نوعی گیرنده نوری طراحی می‌شود. سپس لایه رسانای Al، رسانای ‌نوری Se با ضخامت m20، و لایه میانی Al2O3  با ضخامت  m 10 روی زیرلایه استوانه‌ای، از جنس آلیاژ آلومینیوم که بر آن نوعی پلیمر روکش داده شده بود، انباشته شد. لایه نشانی Al و تشکیل لایه Al2O3  در فشار
7-10×5 تا 5-10×2 میلی‌بار، و لایه‌نشانی Se در فشار 7-10×2 میلی‌بار، در دمای زیرلایه
°C 95 و در120 دقیقه انجام شد. پس از اندازه‌گیری‌های الکتروستاتیکی، با نصب گیرنده نوری جدید در دستگاه زیراکس، تصویربرداری با آن با موفقیت صورت گرفت.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

The technology of constructing a cylindrical photoreceptor

چکیده [English]

In this research the Fourier transform of electric field in a three-layered model with thickness tj and dielectric erj  is computed, after solving three dimensional Laplace equation for Fourier transform of potential under suitable boundary conditions.Then, by studying the behavior of spread function, a three-layered photoreceptor is designed. After designing and constructing of all of the subsystems, the depostion of Al and formation of Al2O3 are carried out at 2´10-5 to 5´10-7 mbar pressure. Then coating of Se is carried out under 2´10-7  mbar pressure, 250 °C boat temperature and 95°C substrate temperature in 120 min. Electrical resistance of the prepared sample was measured to be higher than 1012 W in dark and about zero in than light, this values are suitable for making electrostatic latent image. To test its function in practice, the sample was mounted in Xerox machine and images were copied successfully.

کلیدواژه‌ها [English]

  • Photoreceptor
  • Latent Electrostatic Image
  • Vacuum Coating
  • Amorphous Selenium
[1] بدراقی جلیل، بنائی اقدس، گزارش داخلی 11 ـ 226 (1380) .

[2] Kasahara et. al, US. Pat. 5, 075, 188 Dec (1991).

[3] Mort J., Chen I., Physics of Xerographic photoreceptors, Academic Press Inc. (1985).

[4] Ojima F., et.al, US. Pat. 4, 999, 268, 12 Mar (1991).

[5] Kitagawa S., et.al, US. Pat. 4, 990, 419, 5 Feb (1991).

[6] Fender et.al, US. Pat., 5, 320, 927, 14 Jun (1994).

[7] Kamio M., Physics of amorphous semiconductors, Imperial college Press (1999).

[8] Kazuyuk, US. Pat., 5085, 959, 4 Feb (1992).